半导体

一、项目背景：某半导体企业“硼污染”的处理

某领先半导体企业需将终端超纯水硼浓度严格控制在 5ppt以下。 而传统RO+EDI工艺处理后，水中硼残留仍稳定在420 - 450ppt，远超标准限值。硼的微量残留会干扰硅片导电类型与电阻率，破坏器件沟道结构，成为制约先进制程落地的关键障碍。

因此需采用BD501 超纯水级除硼树脂进行精处理 。

二. 工艺稳定性需求：

生产线需24小时连续供水，且树脂需具备长期耐氧化、高强度特性，避免运行中出现碎球堵塞设备，同时再生效率需匹配生产节奏。

三、解决方案：BD501超纯水级除硼树脂的工艺设计

针对项目痛点，技术团队采用“RO深度脱盐+EDI离子去除+BD501除硼树脂精处理+抛光混床”的四级超纯水制备工艺，核心环节引入BD501超纯水级除硼树脂，进行后端精处理。

BD501作为专为超纯水场景研发的螯合树脂，其特殊基团，可与硼酸根形成稳定络合物，对硼的选择性远超普通阴离子，且不受Na⁺、Ca²⁺等共存离子干扰。

四、应用效果

1.水质指标全面达标

BD501树脂塔终端出水硼浓度稳定在3 - 4ppt，远低于5ppt的制程上限，同时产水电阻率保持在18.25MΩ·cm以上，TOC（总有机碳）含量＜10ppb。

2. 生产效益显著提升

投用后，晶圆光刻胶显影不良率大幅度降低 。同时，BD501树脂的高强度特性（磨后球形度≥95%）使设备堵塞故障率降为0，同时节省设备维护成本。